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Intel intègre la mémoire flash NAND 3D X-Point et QLC dans un seul SSD: Optane H10.



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Intel intègre la mémoire flash NAND 3D X-Point et QLC dans un seul SSD: Optane H10.

Intel a dévoilé aujourd’hui des informations détaillées sur la mémoire Intel Optane H10 avec stockage à semi-conducteurs - un dispositif innovant qui associe la réactivité supérieure de la technologie Intel Optane à la capacité de stockage de la technologie NLC 3D Intel Quad Level Cell (QLC) dans un même économiseur d’espace M. 2 facteur de forme.

"La mémoire Intel Optane H10 avec stockage à semi-conducteurs combine la technologie Intel Optane et Intel QLC 3D NAND - ce qui illustre notre approche révolutionnaire en matière de mémoire et de stockage, qui exploite pleinement la puissance des plates-formes connectées à Intel sans que personne ne puisse le fournir, "a déclaré Rob Crooke, vice-président directeur et directeur général d’Intel du groupe de solutions de mémoire non volatile.

La combinaison de la technologie Intel Optane et de la technologie Intel QLC 3D NAND sur un module M.2 unique permet l’extension de mémoire Intel Optane dans des ordinateurs portables minces et légers ainsi que dans certains facteurs de forme liés à un ordinateur de bureau, tels que les ordinateurs tout-en-un et les mini-ordinateurs.

Le nouveau produit offre également un niveau de performances supérieur à celui des disques SSD NAND 3D à trois cellules (TLC) classiques, et élimine le besoin d'un périphérique de stockage secondaire.

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Le leadership d'Intel en matière d'infrastructure et de conception informatiques lui permet d'exploiter pleinement la valeur de la plate-forme (logiciels, chipset, processeur, mémoire et stockage) et de fournir cette valeur au client.

La combinaison d'une accélération à grande vitesse et d'une grande capacité de stockage SSD sur un seul disque sera bénéfique pour les utilisateurs informatiques ordinaires, qu'ils utilisent leurs systèmes pour créer, jouer ou travailler.

Comparé à un système SSD TLC 3D NAND autonome, la mémoire Intel Optane H10 avec stockage à semi-conducteurs permet à la fois un accès plus rapide aux applications et aux fichiers fréquemment utilisés et une réactivité accrue grâce à l’activité en arrière-plan.

Les plates-formes mobiles de la série Intel Core U de 8ème génération, dotées de la mémoire Intel Optane H10 avec stockage à semi-conducteurs, arriveront via les principaux constructeurs OEM à compter de ce trimestre.

Avec ces plates-formes, les utilisateurs quotidiens seront en mesure de :

- Lancez des documents jusqu'à 2 fois plus rapidement en multitâche,
- Lancez des jeux 60% plus rapidement en multitâche,
- Ouvrez des fichiers multimédias jusqu'à 90% plus rapidement en mode multitâche.

Les disques SSD dotés de la mémoire Intel Optane sont les plus rapides par rapport aux disques SSD NAND dans la majorité des cas d’utilisation client courants.

Les plates-formes Intel avec mémoire Intel Optane s'adaptent aux activités informatiques quotidiennes pour optimiser les performances des tâches les plus courantes et des applications fréquemment utilisées de l'utilisateur.

Avec une capacité de stockage totale allant jusqu'à 1 To, la mémoire Intel Optane H10 avec stockage à semi-conducteurs offrira aux utilisateurs la capacité dont ils ont besoin pour leurs applications et leurs fichiers, aujourd'hui et à l'avenir.

La mémoire Intel Optane H10 avec stockage à semi-conducteurs aura les capacités suivantes :

- 16Go (mémoire Intel Optane) + 256 Go (stockage),
- 32Go (mémoire Intel Optane) + 512 Go (stockage),
- 32​​Go (mémoire Intel Optane) + 1 To de stockage.

INTEL


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News postée par : Conrad56
Date : 12/04/19 à 10h21
Catégorie : Disque dur - SSD
Nombre d'affichages : 1331
Source de la news : INTEL
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